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陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料，在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起：这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷；表面是黑色，基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层，也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好，不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小，热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性，陕西低负载电容型晶振输出。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。6，陕西低负载电容型晶振输出.芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，陕西低负载电容型晶振输出，其气密性能满足高密封的高要求。贴片晶振在上板上机时可以自动化装配，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中。陕西低负载电容型晶振输出

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。福建有源晶振相噪负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。

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直接补偿型。直接补偿型TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英晶体振子串联而成的。在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿电路简单，成本较低，节省印制电路板（PCB）尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1×10-6时，直接补偿方式并不适合。普通晶体振荡器。普通晶体振荡器（SPXO）是一种简单的晶体振荡器，通常称为钟振。它是一种完全由晶体自由振荡完成工作的晶体振荡器。这类晶振主要应用于稳定度要求不高的场合。图8所示为普通晶体振荡器。石英晶体有两个谐振频率，即fs和fp，fp略大于fs。

石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。温度式补偿晶体振荡器。温度式补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器，如图7所示。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。在通常工作条件下，普通的晶振频率***精度可达百万分之五十。天津长方形晶振频率稳定性

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晶振振动模式与频率关系：基频1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成Ri、R0：仪器内阻：一般为50ΩR1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。晶振振动模式与频率关系：基频1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成Ri、R0：仪器内阻：一般为50ΩR1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。陕西低负载电容型晶振输出

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