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晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，天津无源晶振启动时间，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，天津无源晶振启动时间，这个负载电抗呈容性，天津无源晶振启动时间，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。天津无源晶振启动时间

在工作电路中，如果晶振损坏会有哪些特征现象呢？晶振损坏分为两大类，一是彻底停振，二是具有不稳定性一，彻底停振如果晶振停振，对手机而言可能无法正常开机，就像心脏突然停止跳动，以该晶振为时钟信号的电路都会停顿**二，具有不稳定性引起不稳定性的原因有很多，可能是晶振质量问题，更多原因则是晶振参数与电路参数不相匹配，例如系统要求精度20ppm，而晶振参数只有50ppm；再或者匹配电容要求12PF，而实际电容只有9PF诸多原因。福建有源晶振可调性晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。

频率准确度。频率准确度是指在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变时，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的比较大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0。④温度稳定度。温度稳定度是指其他条件保持不变时，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的比较大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。⑤频率调节范围。通过调节晶体振荡器的某可变元件可改变输出频率的范围。⑥负载特性。其他条件保持不变时，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的比较大允许频偏。具有年产各类晶振2亿只的能力。是目前国内产量比较大的音叉谐振器生产厂家之一。

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。天津无源晶振启动时间

在数字应用中使用晶体振荡器有很多好处。晶体可以制造成具有***的特定频率。天津无源晶振启动时间

石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。温度式补偿晶体振荡器。温度式补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器，如图7所示。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。天津无源晶振启动时间

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