陕西通用二极管电压 上海来明电子供应

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，陕西通用二极管电压，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被***采用，陕西通用二极管电压。除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等，陕西通用二极管电压。 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD）。陕西通用二极管电压

整流桥（桥堆）整流桥（桥堆）内部由多个二极管组成，外用绝缘塑料封装而成，主要作用是整流，调整电流方向。不同的应用场合选择不同的桥堆，我司可提供普通整流桥、快恢复整流桥、高效恢复整流桥、超快恢复整流桥、肖特基桥等。产品封装形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M，GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等，电流高达50A，电压达从几百伏至几千伏，电流可达几十安培。天津小信号整流二极管特性SBD是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 [1]  此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。二极管的击穿原理有雪崩击穿和齐纳击穿。

    变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其比较大值为几十pF到几百pF，比较大电容与**小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。图2变容二极管与反向偏压变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如图2所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：(a)反向偏压增加，造成电容减少；(b)反向偏压减少，造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示**小值、标称值及比较大值，这些经常绘在图上。 常用的超高速开关二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装）。天津小信号整流二极管特性

二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比为动态电阻。陕西通用二极管电压

高压二极管是指设计用于在极高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作，如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料，二极管可以承受极高的功率。因此，在处理高压或电压尖峰时，通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 陕西通用二极管电压

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