甘肃压控晶振可调性 上海来明电子供应

串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器，甘肃压控晶振可调性、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO），甘肃压控晶振可调性、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。石英晶体有两个谐振频率，甘肃压控晶振可调性，即fs和fp，fp略大于fs。甘肃压控晶振可调性

陶瓷谐振器（SMD）简称陶瓷晶振，一般是采用压电陶瓷制作的一种谐振元器件。其与晶振在工作原理、等效电路、应用电路等具有相似之处。起到产生频率的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点。陶瓷晶振是通过人工材料制成，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片，然而当今的陶瓷技术已可做到将烧结的尺寸变化控制在0.1%的范围，不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振封装由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，精度上相对于石英晶振来说偏低，精度一般能达到300ppm-5000ppm，比石英晶体谐振器的频率精度要低。主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。湖北压控晶振电路无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来。

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。

判断反馈电路的类型，因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。晶振可以提供较稳定的脉冲，广泛应用于微芯片的时钟电路里。

电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等。甘肃压控晶振可调性

晶体振荡器具有正逆压电效应可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等可作为信号源使用。甘肃压控晶振可调性

晶体振荡器具有正逆压电效应这一物理特性，可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等环节后即可作为信号源使用。 。晶振的主要参数晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等，这些参数决定了晶振的品质和性能。因此，在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。不过，，由于性能越高的晶振价格也越贵，所以购买时选择符合要求的晶振即可。甘肃压控晶振可调性

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