陶瓷谐振器,一般习惯叫陶瓷晶振,但是它是以锆钛酸铅(PZT)分子式:Pb(Zr1-XTiX)O3为主要原料,将其加工成有压电效应的陶瓷材料。然后进行极化处理制作成陶瓷片。镀银后放入有弹性电极的壳内进行密封。陶瓷谐振器的精度一般为±300ppm~500ppm,贵州温度补偿晶振选型,应用在普通产品上,贵州温度补偿晶振选型,例如USB,玩具,硬盘,驱动等对精度要求不高的产品。石英晶振是对石英晶片施加压力,晶片上会产生电荷;反之,对晶片两端的电极施加电压时,贵州温度补偿晶振选型,晶体会产生机械变形。晶片的频率取决于晶片的切割,尺寸等因素。晶片的Q值越高,频率越稳定。石英晶振应用在仪器仪表,通信系统等。石英晶体有两个谐振频率,即fs和fp,fp略大于fs。贵州温度补偿晶振选型
开机特性(频率稳定预热时间):指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变化率,表示了晶振达到稳定的速度。频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的。因此,其频率偏移的速率叫老化率,可用规定时限后的比较大变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内比较大的总频率变化(如:±1ppm/(***年)和±5ppm/(十年))来表示。贵州温度补偿晶振选型陶瓷晶振耐湿性好,不易产生微裂现象,热膨胀系数小,热导率高。
电压控制晶体振荡器。电压控制晶体振荡器(VCXO),是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中,通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽,实际的牵引度范围约为±200×10-6甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高,可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比,这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。
晶振是电子电路中**常用的电子元件之一,一般用字母“X”、“G”或“Z”表示,单位为Hz。晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。晶振可比喻为各板卡的“心跳”发生器,如果主卡的“心跳”出现问题,必定会使其他各电路出现故障。并联型晶体振荡器。并联型晶体振荡器如图5所示。三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路;C3为交流旁路电容,对交流信号相当于短路;X1为石英晶体,在电路中相当于电感。从交流等效图可以看出,该电路是一个电容三点式振荡器,C1、C2、X1构成选频电路,其选频频率主要由X1决定,频率接近fp。晶振具有比 RC 振荡器或 LC 振荡器更高的 Q 因子、更好的温度稳定性和更好的频率稳定性。
短稳:短期稳定度。频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。晶振也就是晶振振荡器,是一种利用晶体作为频率选择元件来获得逆压电效应的电子振荡器。贵州无源晶振生产
晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。贵州温度补偿晶振选型
晶振也就是晶振振荡器,是一种利用晶体作为频率选择元件来获得逆压电效应的电子振荡器。它利用具有压电特性的振动晶体的机械共振,以获得具有高精度频率的电信号。晶体振荡器被认为优于陶瓷谐振器,因为它们具有更高的稳定性、更高的质量、更低的成本和更小的尺寸。晶体振荡器是固定频率振荡器之一,其中它们的精度和稳定性是**重要的考虑因素。它们通常使用与其他类型的振荡器相同的电路,不同之处在于晶体取代了调谐电路。在晶体振荡器中,晶体作为谐振器振动,产生的频率决定了振荡频率。换句话说,晶体就像一个具有精确谐振频率的电感器、电阻器和电容器的电路。在某些情况下,为了使晶体振荡器具有更好的热稳定性,会应用温度补偿。贵州温度补偿晶振选型
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