福建SIM卡ESD保护元件测试 上海来明电子供应

MOV具有ns级的快速响应，但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容，但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快，可达ps级，其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快，可达ps级，福建SIM卡ESD保护元件测试，其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同，福建SIM卡ESD保护元件测试，其结电容可达到1pF以下。可见，MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护，福建SIM卡ESD保护元件测试，当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。福建SIM卡ESD保护元件测试

高频接口的ESD防护电路设计方法，接口的ESDS要求和ESSD选择，通信产品内部接口的静电放电风险主要是在产品及其部件的组装和测试过程，当制造环境和测试策略进行适当的防静电控制后，ESD风险能够得到一定程度的降低，但是实际经验表明，这些内部接口的静电放电敏感度(ESDS)仍然需要达到+2000V以上才是比较安全的。通信产品外部接口的ESD风险不仅存在于产品及其部件的组装和测试过程，更主要的是用户的使用过程，实际经验表明，这些外部接口的ESDS需要达到+4000V以上时才能有效防止接口器件被ESD损坏。为了提高接口的抗静电能力，用于高频接口的静电敏感器件(ESSD)应选用防静电能力强的器件，并需要同时考虑接口器件静电敏感度的人体模式(HBM)、机器模式(MM)和器件充电模式(CDM)参数。一般HBM参数应不低于500V，CDM和MM参数应不低工200V。福建SD卡ESD保护元件选型ESD静电保护元件可提供多种封装形式。

高频接口ESD防护电路的综合设计法根据高频电路的信号特征和ESD防护要求灵活选用各种防护器件、以及各种防护电路的组合形成防护效果好且高频性能好的ESD防护电路。如TVS、开关二极管、R/L/C等元件以及二极管串并联、匹配设计、滤波、隔离、衰减等措施可以同时使用在同一防护电路中，通过灵活的选择搭配，并有效利用高频电路的匹配手段设计***的防护电路。如图4，电感!和TVS并联在输入端具有较好的ESD防护效果，其并联谐振的高阻特性改善了端口的驻波性能，隔离电容和电阻衰减器也能起到ESD防护和改善驻波的作用。

防静电的四项基本原则是：原则一：等电位连接，与敏感器件接触的导体实现等电位连接，避免因导全带静电发生放电；原则二：静电源控制，绝缘材料的静电通过连接地和等电位连接无法消除，因此必须对敏感器件周边进行静电源控制；原则三：静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响；原则四，ESD防护措施不能降低安全水准，如安全与之***，安全第一。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、剥离等。静电防护技术，如电子工业、半导体、石油工业、兵器工业、纺织工业、橡胶工业以及兴航与***领域的静电危害，寻求减少静电造成的损失。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案。

根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构，防护器件的结电容需要满足表1的要求，防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压，同时要远远小于被保护器件的ESD或值电乐，ESD防护电路的响应时间要小于被保护器件的响应时间。高频信号频率低于1GHz，可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护，如果信号功率小，峰值电平低于二极管的正向导通电压，也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护，如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压，应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。福建SIM卡ESD保护元件测试

ESD静电放电常见放电模型有：分别是HBM，MM, CDE。福建SIM卡ESD保护元件测试

人体放电模型（HBM）法规：十九世纪时，人们曾用这种模型来调查矿坑中的气体混合物事件。美国***标准MIL-STD-883的第3015.8号方法建立了一个简化的等效电路，以及模拟人体模型需要的测试程序。另一个国际广为使用的法规是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：静电放电敏感度测试。人体模型主要用在工厂生产环境中，另一个类似的法规IEC61000-4-2，是系统级的静电测试法规，则是在在系统层级的测试。我国静电放电对应的国标相对应的标准为GB/T17626.2。福建SIM卡ESD保护元件测试

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