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晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF，上海陶瓷晶振精度、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，上海陶瓷晶振精度，上海陶瓷晶振精度，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。晶体振荡器主要用于提供稳定时钟信号的数字集成电路和需要高频参考的特定应用中。上海陶瓷晶振精度

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间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）转换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。

电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。晶振的谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定。

陶瓷谐振器（SMD）简称陶瓷晶振，一般是采用压电陶瓷制作的一种谐振元器件。其与晶振在工作原理、等效电路、应用电路等具有相似之处。起到产生频率的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点。陶瓷晶振是通过人工材料制成，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片，然而当今的陶瓷技术已可做到将烧结的尺寸变化控制在0.1%的范围，不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振封装由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，精度上相对于石英晶振来说偏低，精度一般能达到300ppm-5000ppm，比石英晶体谐振器的频率精度要低。主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。山西有源晶振分类

晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。上海陶瓷晶振精度

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