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晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF，辽宁普通型晶振负载、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF，辽宁普通型晶振负载、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变，辽宁普通型晶振负载。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。辽宁普通型晶振负载

石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，ResistanceWelded电阻焊，冲压；产品工业的不同，其封装方式及特点也有所不同。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)；SMD晶振在上板上机时可以自动化装配，提高生产效率，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中；应用于智能手机、无线蓝牙、平板电脑等数码产品；DIP因为有脚引，无焊盘，主要通过人工装配，利用手工对产品进行插件与焊接；应用于钟表、平板电脑、微型计算机等。上海高负载电容型晶振频率稳定性晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。

陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，1：压电陶瓷材料，2：压电石英材料。陶瓷晶振别名又叫陶振；在中国晶振厂家经常这样叫法。陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），**产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，**产品：ZTT4.0MHZ。频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五。

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。

电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。晶体就像一个具有精确谐振频率的电感器、电阻器和电容器的电路。辽宁普通型晶振负载

电压控制晶体振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。辽宁普通型晶振负载

晶体振荡器具有正逆压电效应这一物理特性，可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等环节后即可作为信号源使用。 。晶振的主要参数晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等，这些参数决定了晶振的品质和性能。因此，在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。不过，，由于性能越高的晶振价格也越贵，所以购买时选择符合要求的晶振即可。辽宁普通型晶振负载

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