变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管",是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其比较大值为几十pF到几百pF,比较大电容与**小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等,山东雪崩二极管SS14、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容,山东雪崩二极管SS14。变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。图2变容二极管与反向偏压变容二极管属于反偏压二极管,改变其PN结上的反向偏压,即可改变PN结电容量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的,如图2所示。2,山东雪崩二极管SS14、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解:(a)反向偏压增加,造成电容减少;(b)反向偏压减少,造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示**小值、标称值及比较大值,这些经常绘在图上。 肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。山东雪崩二极管SS14
MOS管,即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(比较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。场效应管是利用多数载流子导电的电压控制元件,在只允许从信号源取较少电流的情况下,一般选用场效应管。MOS管一般应用于放大、阻抗变换、可变电阻、恒流源、电子开关等应用场合。我们可提供多种封装类型及规格的PMOS和NMOS产品,产品封装形式有TO-252、PDFN5*6、ESOT-23、SOP-8、SOT-23、PDFN2*2、PDFN3*3、SOT-363、SOT-323、TO-220、TO-220F、ESOP-8、TO-247等。江西变容二极管定制进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面安装)。
肖特基二极体比较大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压比较高只到50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实物设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值比较大可以到200V。肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。大家知道,金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触(二者距离只有原子大小的数量级)时,金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上,电子密度小于半导体导带的电子密度。因此,在二者接触后,电子会从半导体向金属扩散,从而使金属带上负电荷,半导体带正电荷。由于金属是理想的导体,负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说,失去电子的施主杂质原子成为正离子,则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果,形成空间电荷区、自建电场和势垒,并且耗尽层只在N型半导体一边(势垒区全部落在半导体一侧)。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属,随热电子发射自建场增加,与扩散电流方向相反的漂移电流增大,**终达到动态平衡,在金属与半导体之间形成一个接触势垒,这就是肖特基势垒。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹。
桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接,外用绝缘朔料封装而成,大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热。桥式整流器品种多:有扁形、圆形、方形、板凳形(分直插与贴片)等,有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从,比较高反向峰值电压从50V到1600V。全桥的正向电流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(比较高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。一般桥式整流器(整流桥)命名中有3个数字,***个数字**额定电流,A;后两个数字**额定电压(数字*100),V。如:KBL407即4A,700V。KBPC5010即50A,1000V(1234567,005、01、02、04、06、08、10分别**电压档的50V,100V,200V,400V,600V,800V,1000V)。 单向电压开关二极管也称转折二极管,邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成。江西变容二极管定制
二极管也可以用玻璃封装的。山东雪崩二极管SS14
由于多种原因,当前***使用的是可视激光二极管(英文简称"VLD""Visible Laser Diode")。激光二极管的可靠性非常好,寿命要比氦氖激光长几倍,而且工作电压很低(通常只有2伏),没有特殊供电要求。它们的封装非常小而轻,并且密封坚固。由于耗能非常小,它们可用在直接从计算机甚至电池取电的条形码读码器中。之所以选用可视激光而不是红外激光,是因为IR类型的扫描仪不能识读打印在某些特殊材质上的条形码。尽管条码本身在人眼看来是暗条打印在浅色背景上,红外激光与可见光的被吸收程度是不同的。山东雪崩二极管SS14
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