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电压控制晶体振荡器。电压控制晶体振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽，广西陶瓷封装型晶振启动时间，实际的牵引度范围约为±200×10-6甚至更大，广西陶瓷封装型晶振启动时间。如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高，可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。晶振的主要参数有标称频率、负载电容，广西陶瓷封装型晶振启动时间、频率精度、频率稳定度等。广西陶瓷封装型晶振启动时间

晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。天津有源晶振负载有源晶振是用石英晶体组成的，石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应。

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晶体振荡器具有正逆压电效应这一物理特性，可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等环节后即可作为信号源使用。 。晶振的主要参数晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等，这些参数决定了晶振的品质和性能。因此，在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。不过，，由于性能越高的晶振价格也越贵，所以购买时选择符合要求的晶振即可。晶振的谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定。

石英谐振器的模态谱，包括基模，三阶泛音，5阶泛音和一些乱真信号响应，即寄生模。在振荡器应用上，振荡器总是选择**强的模式工作。一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。有时候，当温度发生改变，在一定温度下，寄生模的频率与振荡频率一致，这导致了“活动性下降”。在活动性下降时，寄生模的激励引起谐振器的额外能量的消耗，导致Q值的减小，等效串联电阻增大及振荡器频率的改变。当阻抗增加到相当大的时候，振荡器就会停止，即振荡器失效。当温度改变远离活动性下降的温度时，振荡器又会重新工作。寄生模能有适当的设计和封装方法控制。不断修正电极与晶片的尺寸关系（即应用能陷原则），并保持晶片主平面平行，这样就能把寄生模**小化。石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日，甚至10^-11。广西陶瓷封装型晶振启动时间

贴片晶振在上板上机时可以自动化装配，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中。广西陶瓷封装型晶振启动时间

石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。温度式补偿晶体振荡器。温度式补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器，如图7所示。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。广西陶瓷封装型晶振启动时间

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