福建硅二极管阵列 上海来明电子供应

熟悉二极管的特性就知道，二极管***的一个特性就是单向导电性。当电流流过二极管处时，由于二极管的单向导电性，阻止了电流流过，此时的负载无法构成回路，对负载电路没有任何影响，福建硅二极管阵列。假如没有这个防电源接反二极管，当电源接反时，此时负载电路构成回路，负载流过的电流与正常情况不一样，从而导致负载电路烧毁。一般情况下，电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时，而烧毁电路板，福建硅二极管阵列。防反二极管一般接在电源输入端的正极上，福建硅二极管阵列，当然也可接在负极上。 稳压管具有良好的重复击穿特性。福建硅二极管阵列

SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 福建硅二极管阵列SBD*****的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns[1]。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用时动作迅速、寿命长、使用方便，因此在瞬变电压防护领域有着非常***的应用。

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。*****的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降*。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT的开关电路里面，通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，74ALS，74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。肖特基（Schottky）二极管的比较大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要***考虑。开关二极管广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。

MOS管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（比较高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。场效应管是利用多数载流子导电的电压控制元件，在只允许从信号源取较少电流的情况下，一般选用场效应管。MOS管一般应用于放大、阻抗变换、可变电阻、恒流源、电子开关等应用场合。我们可提供多种封装类型及规格的PMOS和NMOS产品，产品封装形式有TO-252、PDFN5*6、ESOT-23、SOP-8、SOT-23、PDFN2*2、PDFN3*3、SOT-363、SOT-323、TO-220、TO-220F、ESOP-8、TO-247等。二极管反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。福建硅二极管阵列

无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。福建硅二极管阵列

瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS二极管过电压反应的速度会比其他的过电压保护元件（例如压敏电阻或是气体放电管）要快。实际的箝位大约只有一皮秒，但因为实际电路中导线存在电感，因此保护元件需容许较长时间的大电压。因此TVS二极管会比其他元件适合保护电路不受很快，而且有破坏性的电压突波。像许多分散式的电路都有这种快速的过电压突波，可能因为内部因素或是外部因素造成，例如闪电或是马达短路。 福建硅二极管阵列

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