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人体静电防护编辑 播报人体是**普遍存在的静电危害源。对于静电来说，人体是导体，所以可以对人体采取接地的措施。(1).使用防静电地面/ 防静电鞋/ 袜(静电从脚导到大地)通过脚穿防静电性地面、地垫、地毯，人员穿上防静电鞋袜，形成组合接地。(2)，湖南以太网接口ESD保护元件电压，湖南以太网接口ESD保护元件电压.佩戴防静电腕带并接地(静电从手导到大地)通过手用以泄放人体的静电。它由防静电松紧带、活动按扣、弹簧软线.保护电阻及插头或夹头组成，湖南以太网接口ESD保护元件电压。松紧带的内层用防静电纱线编织，外层用普通纱线编织。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。湖南以太网接口ESD保护元件电压

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷，是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上，液体静电电压可以达到数万伏以上，人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中，静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点，设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件，特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计，提供数据和依据。青海低压ESD保护元件选型ESD静电保护元器件是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。

高频接口的ESD防护电路设计方法，接口的ESDS要求和ESSD选择，通信产品内部接口的静电放电风险主要是在产品及其部件的组装和测试过程，当制造环境和测试策略进行适当的防静电控制后，ESD风险能够得到一定程度的降低，但是实际经验表明，这些内部接口的静电放电敏感度(ESDS)仍然需要达到+2000V以上才是比较安全的。通信产品外部接口的ESD风险不仅存在于产品及其部件的组装和测试过程，更主要的是用户的使用过程，实际经验表明，这些外部接口的ESDS需要达到+4000V以上时才能有效防止接口器件被ESD损坏。为了提高接口的抗静电能力，用于高频接口的静电敏感器件(ESSD)应选用防静电能力强的器件，并需要同时考虑接口器件静电敏感度的人体模式(HBM)、机器模式(MM)和器件充电模式(CDM)参数。一般HBM参数应不低于500V，CDM和MM参数应不低工200V。

ESD策略，ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地，使传送到被保护器件的ESD脉冲能量比较低，同时要求防护电路对正常工作信号的损耗和失真**小。因此设计ESD防护电路的基本指导思想是:对ESD信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量小，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量大;对工作信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量大，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量小。**的电浪涌防护器件主要有压敏电阻MOV气体放电管GDT 瞬态电压抑制二极管TVS半导体闸流管瞬态抑制器件TSS、快速开关二极管等。ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地。

高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感，并要求防护器件有ns级的响应速度。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案，在GHz以上的电路中选用LC高通滤波器会有更加理想的ESD防护效果。ESD防护电路的防护能力与选用的防护器件、被保护器件的ESD敏感度、电路结构形式、布线等因素密切相关，一般无法直接确定一个防护电路单元的防护能力，必须把防护电路单元和被保护的具体电路作为一个整体并按照标准IEC61000-4-2的测试方法进行测试，以确定一个实际电路的防护效果。硅基ESD静电保护元件具有较低的钳位电压。江西USB3.0接口ESD保护元件参数

静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响。湖南以太网接口ESD保护元件电压

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。湖南以太网接口ESD保护元件电压

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