典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图1所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,齐纳二极管正负,肖特基势垒层变窄,齐纳二极管正负,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,齐纳二极管正负,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)。齐纳二极管正负
整流桥(桥堆)整流桥(桥堆)内部由多个二极管组成,外用绝缘塑料封装而成,主要作用是整流,调整电流方向。不同的应用场合选择不同的桥堆,我司可提供普通整流桥、快恢复整流桥、高效恢复整流桥、超快恢复整流桥、肖特基桥等。产品封装形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M,GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等,电流高达50A,电压达从几百伏至几千伏,电流可达几十安培。重庆开关二极管伏安特性红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。
整流作用高压二极管击穿,会烧断高压保险丝。高压二极管内部烧断,会只有交流高压,没有直流高压。在阳极与阴极之间加上—定的直流电压,阴极发射的电子受阳极正电位影响而飞向阳极,另外再有磁铁的作用,在空间上存在方向与电场垂直的磁场,因而电子在磁场力和电场力作用下作轮摆运动。因阳极谐振腔内存在高频电场,因而就会形成绕阳极旋转的“电子云”;当旋转速度与高频磁场同步时,电子将所有的能量交给高频磁场,从而维持高频振荡。这种高频能量经微波能量输出器输出,由波导管传输到微波炉腔里加热食物。
发光二极管,简称为LED,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用***。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有***的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现,早期只能发出低光度的红光,之后发展出其他单色光的版本,能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等;随着技术的不断进步,发光二极管已被***地应用于显示器和照明。 不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
SBD的主要优点包括两个方面:1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点。齐纳二极管正负
开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间。齐纳二极管正负
由于多种原因,当前***使用的是可视激光二极管(英文简称"VLD""Visible Laser Diode")。激光二极管的可靠性非常好,寿命要比氦氖激光长几倍,而且工作电压很低(通常只有2伏),没有特殊供电要求。它们的封装非常小而轻,并且密封坚固。由于耗能非常小,它们可用在直接从计算机甚至电池取电的条形码读码器中。之所以选用可视激光而不是红外激光,是因为IR类型的扫描仪不能识读打印在某些特殊材质上的条形码。尽管条码本身在人眼看来是暗条打印在浅色背景上,红外激光与可见光的被吸收程度是不同的。齐纳二极管正负
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