湖北齐纳二极管封装 上海来明电子供应

高压二极管是指设计用于在极高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作，如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料，湖北齐纳二极管封装，二极管可以承受极高的功率。因此，在处理高压或电压尖峰时，通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小，湖北齐纳二极管封装,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大，湖北齐纳二极管封装,多数采用面接触性料封装的二极管。 稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。湖北齐纳二极管封装

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns[1]。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用时动作迅速、寿命长、使用方便，因此在瞬变电压防护领域有着非常***的应用。吉林小信号整流二极管国产替代肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD）。

整流桥一般带有足够大的电感性负载，因此整流桥不出现电流断续。一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器,故可将其负载视为恒流源。多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离，但整流变压器的等效容量大，体积庞大。由于一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器，故可将其负载视为恒流源。另外根据EMI测量标准，为减小电网阻抗对测量结果的影响，需要在整流桥的电网输入端接入线性阻抗稳定网络(LISN)。测试所用的LISN的结构如图1所示，其主要作用是：①减小电网阻抗对测量结果的影响；②隔离来自电网端的干扰。由于LISN的隔离作用，可以把电网端视作一*有基波电势和内阻抗的电源。

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。吉林小信号整流二极管国产替代

插件二极管的封装类型有DO-201,DO-27,DO-41等。湖北齐纳二极管封装

触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。测量双向触发二极管的转折电压的方法：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。 湖北齐纳二极管封装

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