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河南低压ESD保护元件选型 上海来明电子供应

上传时间:2023-03-12 浏览次数:
文章摘要:现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展,从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成

现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展,从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成度芯片内部的细引线,河南低压ESD保护元件选型、小间距、薄膜化使器件尺寸进一步缩小,氧化层进一步减薄,导致器件抗ESD能力越来越低高速数字电路、高频模拟电路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工艺,采这些工艺制作的器件明显具有ESD高敏感特性。IC中的线宽和间距越来越窄(从儿un到0.07m),电源电压越来越低(从15V到15V),IC抗ESD损坏的阈值电压越来越低。例如,现在通信设备中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件,采用GaAsFETHBT和PHEMT工艺制作的RFIC和MMIC,使用InGaP、InP材料制作的光器件,高频芯片中集成的MIM电容等,它们的静电敏感电压都在数百伏,低达100V,河南低压ESD保护元件选型,成为ESD高损伤率器件。典型的机器模型对小电阻放电的波形,河南低压ESD保护元件选型, 峰值电流可达几百安培,持续时间决定于放电通路的电感为几百纳秒。河南低压ESD保护元件选型

降低防护器件结电容的设计方法当防护器件的并联结电容较大时,将对高频信号产生“衰耗”作用,此时需要改进防护电路的设计,降低结电容对信号质量的影响。常用的设计方法有;A二极管偏置法二极管结电容随反向偏升高而降低,对防护一极管施加话当的反向偏压可适用更高频率电路。B.二极管串联法一-两个相同防护二极管串联可使接入电容减小一半。C阻抗匹配法一-当防护二极管的结电容太大,可以对防护器件并联小电感,使之和二极管结电容并联谐振在工作信号频率点,这时保护电路对工作频率呈高阻抗,从而减小对高频电路四配的影响,并有利于加强防护。河南低压ESD保护元件选型ESD静电保护元件一般并联在电流中使用。

开车外出也要注意静电的防护,在加油站时,一定要防范静电,加油前先放电,一般情况下,自助加油机本身就能够释放静电。自助加油机上的键盘,它的材质是金属并且是直接与地相接触的,车主在加油前输入自己的加油信息时就已将身上所携带的静电释放出去了。当然,比较好能够在加油前,先把手按压在自助加油机的释放静电按钮上放电,这样会更加安全。正确使用加油枪,加油前,比较好将加油枪在油箱口轻碰一下以消除静电。在加油时将油***尽量深入油箱口,这样可以减少汽油蒸汽的挥发,相当于从源头上减少了起火介质。如果油箱口冒火,千万不要惊慌,应马上停止加油作业,然后将加油枪口远离油源,迅速用灭火器将火扑灭。

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。ESD静电保护元件在选型时应注意其封装,电容,静电防护等级等参数。

ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时,产品的组装、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤,通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生,因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外,还要加强产品的ESD防护设计,尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品可靠性的一个重要环节。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。北京以太网接口ESD保护元件厂家

常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。河南低压ESD保护元件选型

静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。静电放电形式:电晕放电(1)电晕放电:是发生在带电体前列或曲率半径很小处附近的局部放电。电晕放电可能伴有轻微的嘶嘶声和微弱的淡紫色光。电晕放电一般没有引燃危险。刷形放电和传播型刷形放电(2)刷形放电和传播型刷形放电:都是发生在绝缘体表面的有声光的多分支放电。当绝缘体背面紧贴有金属导体时,绝缘体正面将出现传播型刷形放电。同一绝缘体上可发生多次刷形放电或传播型刷形放电。刷形放电有一定的引燃危险;传播型刷形放电的引燃危险性大。(3)火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。其引燃危险性很大。(4)雷型放电:是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电。其引燃危险性很大。河南低压ESD保护元件选型

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