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判断反馈电路的类型，因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，北京有源晶振可调性，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，北京有源晶振可调性，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，北京有源晶振可调性，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。北京有源晶振可调性

石英晶体谐振器（英文：quartzcrystalunit或quartzcrystalresonator，常被标识为Xtal，ExtenalCrystalOsillator，外部晶振器，因为晶振单元常常作为电路外接），简称石英晶体或晶振，是利用石英晶体（又称水晶）的压电效应，用来产生高精度振荡频率的一种电子元件，属于被动元件。该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。山西无源晶振尺寸陶瓷晶振耐湿性好，不易产生微裂现象，热膨胀系数小，热导率高。

标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度：振荡器输出频率在室温（25℃±2℃）下相对于标称频率的偏差。调整频差：在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的比较大允许频率偏差。负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。

电压控制晶体振荡器。电压控制晶体振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽，实际的牵引度范围约为±200×10-6甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高，可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。晶体振荡器被认为优于陶瓷谐振器，因为它们具有更高的稳定性、更高的质量、更低的成本和更小的尺寸。

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。在通常工作条件下，普通的晶振频率***精度可达百万分之五十。山西无源晶振尺寸

石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)。北京有源晶振可调性

电压特性。。其他条件保持不变时，，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的比较大允许频偏。、⑧杂波。杂波是指输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。、⑨谐波。、谐波是指谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。⑩日波动。指振荡器经过规定的预热时间后，每隔1h测量一次，连续测量24h，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0计算，得到日波动。北京有源晶振可调性

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