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TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿，6600W瞬态抑制二极管测试，6600W瞬态抑制二极管测试。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP，6600W瞬态抑制二极管测试。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。6600W瞬态抑制二极管测试

车规级TVS与工业级TVS的区别如下：1.级别不同：元器件一般分为**，工业级，民用级这三个级别，市面流通基本都是工业级民用级，车规级很少用于区分级别的，大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同：一般而言，工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃，车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同：车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力（包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等），车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上，而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产、管控以及测试环节。广东1000W瞬态抑制二极管失效SMA/DO-214AC封装的TVS一般有MAJ，P4SMA，TPSMAJ，SMA6J等系列。

TVS的封装类型有：2）SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封装：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封装：P4KE系列（400W）；7）DO-15封装：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。

5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。TVS若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS 阵列。

选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点。贵州瞬态抑制二极管选型

TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。6600W瞬态抑制二极管测试

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。6600W瞬态抑制二极管测试

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