比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的,广西贴片瞬态抑制二极管选型、在特定的1MHZ频率下测得的,广西贴片瞬态抑制二极管选型。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,广西贴片瞬态抑制二极管选型,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。一般在高速接口中需要考虑TVS的结电容问题。SOD-123封装的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。广西贴片瞬态抑制二极管选型
PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。广西贴片瞬态抑制二极管选型做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小。
要减少TVS短路失效,首先应加强TVS制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正确选型与安装,比较好对TVS进行降额使用,这样可使TVS承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。
5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。
过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁,失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明,发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致,例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致,例如:电快速瞬变,雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间,则短路可能发生在结边缘表面,也可能发生在体内。多线保护选用TVS 阵列更为有利。广西贴片瞬态抑制二极管选型
TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。广西贴片瞬态抑制二极管选型
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