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河北SMA瞬态抑制二极管参数 上海来明电子供应

上传时间:2023-05-25 浏览次数:
文章摘要:1、将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵,河北SMA瞬态抑制二极管参数。2、静电放电效应能释放超过10000V,河北SMA瞬态抑制二极管参

1、将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵,河北SMA瞬态抑制二极管参数。2、静电放电效应能释放超过10000V,河北SMA瞬态抑制二极管参数、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,河北SMA瞬态抑制二极管参数,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。河北SMA瞬态抑制二极管参数

反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。河北SMA瞬态抑制二极管参数当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,皮秒级的速度变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率。

220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器,此高压直流变化范围是240V~360V,而由于变压器漏感和引线电感的存在,关断过电压可以高达几千伏,功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS,这样将关断过电压控制在300V以内,加上电源电压,功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时,由于开关变压器线圈漏感的存在,会产生极高的反电势,有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后,可以有效地吸收电压尖峰,保护功率开关管的安全,降低对功率开关管耐压的要求。

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在、无时不有,使人感到防不胜防。幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制,TVS(TransientVoltageSuppressor)或称瞬态抑制二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异。SMB/DO-214AA封装的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。

车规级TVS与工业级TVS的区别如下:1.级别不同:元器件一般分为**,工业级,民用级这三个级别,市面流通基本都是工业级民用级,车规级很少用于区分级别的,大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同:一般而言,工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃,车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同:车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力(包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等),车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上,而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产、管控以及测试环节。TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。河北SMA瞬态抑制二极管参数

SOD-123封装的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。河北SMA瞬态抑制二极管参数

TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极的电压也不断下降,***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。河北SMA瞬态抑制二极管参数

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