igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，第1发射极单元金属2为第1发射极单元101在第1表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在第1表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在第1表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。
公共栅极单元与第1发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；接地区域设置于第1发射极单元内的任意位置处；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。本发明实施例提供的半导体功率模块，与上述实施例提供的一种igbt芯片具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的半导体功率模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的igbt芯片对应过程，在此不再赘述。另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在本发明的描述中，需要说明的是。
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