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上海贸易英飞凌IGBT供应 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

上传时间:2023-05-29 浏览次数:
文章摘要:    作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外,当空穴收集区8内设置有沟槽时,如图10所示,此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触,即接触多晶硅13。可选

    作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外,当空穴收集区8内设置有沟槽时,如图10所示,此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触,即接触多晶硅13。可选的,在图7的基础上,图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图,如图11所示,此时,电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触,且,与p阱区7连通;当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时,横截面如图12所示,此时,如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时,则横截面如图13所示,且,空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外,当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时,如图14所示,此时,空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离,这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此,本发明实施例提供的一种igbt芯片,在电流检测区域20内没有开关控制电级,即使有沟槽mos结构,沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触,且,与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区,可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体,也可以隔离开;此外。

    对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图;图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图;图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图;图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图;图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图;图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图;图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图;图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图;图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标:1-电流传感器;10-工作区域;101-第1发射极单元。

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