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河南SMB瞬态抑制二极管封装 上海来明电子供应

上传时间:2023-05-30 浏览次数:
文章摘要:这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文简称ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文简称浪涌管),河南SMB瞬态抑制二极管封装。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准:IEC61000-4-2Leve

这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文简称ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文简称浪涌管),河南SMB瞬态抑制二极管封装。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准:IEC61000-4-2Level4ESDProtection——静电测试标准,必须通过,提供测试数据IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分厂家才会提供数据IEC61000-4-5(8/20us)——浪涌测试标准,必须通过,提供测试数据下面是安森美ESD5481MUT5G,河南SMB瞬态抑制二极管封装,用在一般信号线上的ESD管规格书提供的信息,河南SMB瞬态抑制二极管封装,人家一个小管子,完成了三个标准的测试。瞬态电压抑制器TVS可以在-55~+150℃之间工作。河南SMB瞬态抑制二极管封装

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说,ISO7627-2这个标准是***不会陌生,这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度,只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了,分别是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截图是从ISO7637-22004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了)。对于从1到4的几个波形,基本上都是一些时间极短的脉冲,虽然正负电压的幅值很高,但是能量很小,基本上电路上不用做太多特殊的防护,单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来,而对5a,5b波形,就需要做专门的应对了,而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。河南SMB瞬态抑制二极管封装TVS的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN 结雪崩器件。

对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。

TVS的封装类型有:2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封装:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封装:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封装:P4KE系列(400W);7)DO-15封装:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;。。。。特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数)。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。江西3000W瞬态抑制二极管原理

TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。河南SMB瞬态抑制二极管封装

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。河南SMB瞬态抑制二极管封装

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