根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构,防护器件的结电容需要满足表1的要求,防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压,同时要远远小于被保护器件的ESD或值电乐,ESD防护电路的响应时间要小于被保护器件的响应时间。高频信号频率低于1GHz,可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护,如果信号功率小,峰值电平低于二极管的正向导通电压,也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护,甘肃USB2,甘肃USB2.0ESD保护元件测试.0ESD保护元件测试,如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压,应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,甘肃USB2.0ESD保护元件测试,中文名称为静电阻抗器。甘肃USB2.0ESD保护元件测试
对于ESD,我们应该如何进行一个选型呢?ESD主要分为四类:TVS二极管、压敏电阻、MLCC、ESD抑制器,各个器件的应用场景也不太一样,我们**常用的esd器件就是tvs二极管了。1)工作电压选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压(VRWM),例如系统是0~5V,那么我们应该选择工作电压(VRWM)大于5V的TVS。2)信号类型单向ESD器件和双向ESD器件的选择,双向ESD器件可以通过正负击穿电压(VBR)的信号,而单向ESD器件只可以通过正击穿电压(VBR)的信号,如果通过负的就会造成ESD器件击穿。3)寄生电容ESD器件是有寄生电容的,如图是寄生电容对高速电路接口的影响,寄生电容会影响电平的上升和下降速度,影响输出后的信号。4)根据电路系统的比较大承受电压冲击,选择适合的钳位电压;5)确保ESD器件可达到或超过IEC61000-4-2level4。湖北BNC接口ESD保护元件测试ESD静电保护元件可以做成阵列式,同时保护几路数据线免遭ESD的损坏。
现行的 IEC61000—4—2标准规定 的测试方法和实验平 台仍存在一定局限性,需进一步研究 和改进 。ESD协 会 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等标准化 国际组织都在努力提高静电放 电抗扰度测试 的一致性,对现有标准展 开***的讨论和完善 。但是我国相关领域 的工作开展不多。现行的 ESD抗扰度实验标准是沿用原 IEC标准,对标准的制定和修改工作没有与国际接轨 ,从而在 ESD抗扰度测试方面仍然落后于西方发达国家。我过也在积极的开展研究静电放电测试方面的相关标准,成立了各项标准委员会。
TVS/ESD静电保护元件阵列,ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压,进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD,是一种过压保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容,具有优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数高达1000之后,进而改善对敏感电子元件的保护。 静电保护元件可提供多种封装形式。
在高频高速信号电路中,电路的特征阻抗较低,分布电容和分布电感对电路的阻抗匹配、信号质量会产生较大的影响,这要求设计的ESD防护电路具有很小的寄生参数,对信号质量和阻抗匹配产生**小的影响,即要保证高频信号尽量无损失地通过防护电路,同时ESD防护电路要对宽频谱的ESD信号具有较好的吸收和衰减性能,阻止ESD脉冲进入被保护电路。在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力,但是射频器件和高速数字IC内部的I/0端口一般无法直接设计ESD防护电路,因为防护电路的寄生参数(主要是结电容)将影响I/0端口的阻抗匹配、改变器件的频响特性。多层压敏电阻作为ESD静电保护元件,具有较高的成本优势。湖北BNC接口ESD保护元件测试
ESD防护主要采用“过压防护”的原理,通过隔离电路、钳位电路、衰减电路等方式降低ESD的冲击电压。甘肃USB2.0ESD保护元件测试
常见的ESD静电放电模式有四种,分别是人体放电模型、机器放电模型、带电器件模型、感应放电模型:1.HBM,人体放电模型,即带电人体对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:人体——器件——地。2.MM,机器模型,即带电设备对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:机器——器件——地。3.CDM,带电器件模型,即带电器件直接对敌放电。放电途径为:器件——地。4.FICDM,感应放电模型,即器件感应带电后放电。途经:电场——器件带电——地。甘肃USB2.0ESD保护元件测试
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