当PN结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于1对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,湖南3000W瞬态抑制二极管原理,**终达到耗尽区载流子数目激增,湖南3000W瞬态抑制二极管原理,湖南3000W瞬态抑制二极管原理,PN结发生雪崩击穿。TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA。湖南3000W瞬态抑制二极管原理
过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁,失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明,发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致,例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致,例如:电快速瞬变,雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间,则短路可能发生在结边缘表面,也可能发生在体内。湖南3000W瞬态抑制二极管原理TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点。
1、将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。
要减少TVS短路失效,首先应加强TVS制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正确选型与安装,比较好对TVS进行降额使用,这样可使TVS承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间*为1ps(10^-12S)。
TVS和稳压管的区别表现在一些方面,***分类不同:TVS管:按极性,可分为单、双极性;按用途,可分为通用型、**型;稳压管:按稳压高低,可分为低压二极管和高压稳压二极管;按材料,可分为N型和P型。用途不同:TVS管:用于瞬态电压保护;TVS管电压精度是在一定范围内;TVS管通流能力能达到几百安;在稳压值当方面,TVS管6.8v-550V;稳压管:对漏极和源极进行箝位保护;精确度方面较高;稳压管的耐浪涌电流小;稳压管电压范围一般为3.3V-75V。利用TVS 二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰。湖南3000W瞬态抑制二极管原理
多线保护选用TVS 阵列更为有利。湖南3000W瞬态抑制二极管原理
单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性,具有双向对称性,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。。湖南3000W瞬态抑制二极管原理
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