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江苏1000W瞬态抑制二极管应用 上海来明电子供应

上传时间:2023-06-30 浏览次数:
文章摘要:TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。单向TVS用于直流电源信号防护,正向导通也可以起到泄放浪涌电流的作用。TVS有时

TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。单向TVS用于直流电源信号防护,正向导通也可以起到泄放浪涌电流的作用。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容,或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,江苏1000W瞬态抑制二极管应用,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,江苏1000W瞬态抑制二极管应用,江苏1000W瞬态抑制二极管应用,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。江苏1000W瞬态抑制二极管应用

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对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良。

单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性,具有双向对称性,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。。TVS的钳位时间对单极性TVS一般是1×10-12秒;对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。江苏1000W瞬态抑制二极管应用

箝位时间TC 是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR 的时间。江苏1000W瞬态抑制二极管应用

来明电子团队在电路保护领域深耕多年,从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品,瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W,另有可替代MOV用超级TVS产品,产品电流可分为3kA,6kA,10kA,可达16kA。产品封装类型有SOD-123,SOD-123FL,SMA(DO-214AC),SMAF,SMB(DO-214AA),SMC(DO-214AB),SMBF,SMCF,DO-15,DO-41,DO-201,DO-218AB,TO-277等。并可提供车规级TVS器件,特殊需求可根据客户要求定制。。江苏1000W瞬态抑制二极管应用

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