云南聚合物正温度系数热敏电阻电压 上海来明电子供应

电容引起的浪涌电流计算：比如在输入电压V为220Vac，整个电路内阻（含整流桥和滤波电容）Rs=1Ω，若正好在电源输入波形达到90度相位的时候开机，那么开机瞬间浪涌电流的峰值将达到：I=（220×1，云南聚合物正温度系数热敏电阻电压.414）/1≈311（A）这个浪涌电流虽然时间很短（mS级），但如果不加以抑制，会减短输入电容和整流桥的寿命，还可能造成输入电源电压的降低，让使用同一输入电源的其它电源设备瞬间掉电，云南聚合物正温度系数热敏电阻电压，对临近设备的正常工作产生干扰。我们在选用功率型NTC热敏电阻针对滤波电容引起的浪涌电流保护时，需要选择什么样参数的功率型NTC热敏电阻呢？这里面还是有一些知识点的，我们建议从R25阻值，云南聚合物正温度系数热敏电阻电压、比较大稳态电流、允许比较大电容（焦耳能量）等几个方面对功率型NTC热敏电阻的参数进行选择。PTC热敏电阻兼有敏感元件、加热器和开关三种功能，称之为“热敏开关”。云南聚合物正温度系数热敏电阻电压

电子跳跃模型(electronhoppingmodel)是目前在Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷中被***认可和接受的导电机理。该模型认为在该体系中电子导电存在两个条件：(1)金属离子的价态是可以变价的；(2)变价的金属离子在晶体学中占据相同的位置。对于Ni-Mn-O材料体系而言，一般都含有可变价的Mn离子，存在+4、+3、+2等诸多价态，其中Mn4++和Mn3+离子一般倾向于进入尖晶石结构中的B位，而Mn2+离子则会倾向进入A位。在尖晶石结构中，由于B-B位之间的距离略小于A-A位之间的距离，所以电子会在距离较短的B位Mn4+离子和Mn3+离子之间进行跳跃，产生跳约导电。云南聚合物正温度系数热敏电阻电压NTC电阻体自身的包封料及线材对热敏电阻产品的性能有很大影响，其中包封料有硅树脂、酚醛树脂。

正温度系数（PTC）是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料。其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化。

⑥额定功率PM：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续负载所允许的耗散功率。在实际使用时不得超过额定功率。若热敏电阻器工作的环境温度超过25℃，则必须相应降低其负载。⑦额定工作电流IM：热敏电阻器在工作状态下规定的名义电流值。⑧测量功率Pc：在规定的环境温度下，热敏电阻体受测试电流加热而引起的阻值变化不超过0.1%时所消耗的电功率。⑨最大电压：对于NTC热敏电阻器，是指在规定的环境温度下，不使热敏电阻器引起热失控所允许连续施加的比较大直流电压；对于PTC热敏电阻器，是指在规定的环境温度和静止空气中，允许连续施加到热敏电阻器上并保证热敏电阻器正常工作在PTC特性部分的比较大直流电压。⑩最高工作温度Tmax：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许的最高温度。按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻。

热敏电阻的阻值会随着温度的改变而改变，而这种改变是非线性的，Steinhart-Hart公式表明了这一点。在进行温度测量时，需要驱动一个通过热敏电阻的参考电流，以创建一个等效电压，该等效电压具有非线性的响应。您可以使用配备在微控制器上的参照表，尝试对热敏电阻的非线性响应进行补偿。即使您可以在微控制器固件上运行此类算法，但您还是需要一个高精度转换器用于在出现极端值温度时进行数据捕获。另一种方法是，您可以在数字化之前使用“硬件线性化”技术和一个较低精度的ADC。(Figure1)其中一种技术是将一个电阻RSER与热敏电阻RTHERM以及参考电压或电源进行串联（见图1）。将PGA（可编程增益放大器）设置为1V/V，但在这样的电路中，一个10位精度的ADC只能感应很有限的温度范围（大约±25°C）。长寿命NTC热敏电阻，是对NTC热敏电阻认识的提升，强调电阻寿命的重要性。云南聚合物正温度系数热敏电阻电压

热敏电阻灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化。云南聚合物正温度系数热敏电阻电压

NTC负温度系数热敏电阻构成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料．该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化．现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷，具有负的温度系数，电阻值可近似表示为：式中RT、RT0分别为温度T、T0时的电阻值，Bn为材料常数．陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化，这是由半导体特性决定的。云南聚合物正温度系数热敏电阻电压

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