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重庆SD卡ESD保护元件封装 上海来明电子供应

上传时间:2023-07-06 浏览次数:
文章摘要:静电保护元件被广泛应用于HDMI接口、便携式视频设备、LCD等离子电视、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系统、便携设备(PDA、DSC,重庆SD卡ESD保护元件封装、蓝牙)、打印机接口、卫星接收器、DVI、天线等进而改善

静电保护元件被广泛应用于HDMI接口、便携式视频设备、LCD等离子电视、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系统、便携设备(PDA、DSC,重庆SD卡ESD保护元件封装、蓝牙)、打印机接口、卫星接收器、DVI、天线等进而改善对敏感电子元件的保护。注意事项编辑 播报1.传输速率,也就是电容量的控制,现在随着工艺的不断完善,电容量越做越低。2.符合测试要求的标准,不是越高越好,而是适合自已的产品,例如:空气放电15KV 接触 8KV。3.设计时考虑PCB板的空间条件。4,重庆SD卡ESD保护元件封装.安全考虑,yint公司首席技术经理,说过一句很经典的话,重庆SD卡ESD保护元件封装,在电路中,假如非万不得已不要增加多余的器件,每增加一个,就是增加失效风险,保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件,它也有失效益机率,所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。静电源包装,出ESD防护区的器件必须使用防静电包装,以防外界静电源的影响。重庆SD卡ESD保护元件封装

现行的 IEC61000—4—2标准规定 的测试方法和实验平 台仍存在一定局限性,需进一步研究 和改进 。ESD协 会 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等标准化 国际组织都在努力提高静电放 电抗扰度测试 的一致性,对现有标准展 开***的讨论和完善 。但是我国相关领域 的工作开展不多。现行的 ESD抗扰度实验标准是沿用原 IEC标准,对标准的制定和修改工作没有与国际接轨 ,从而在 ESD抗扰度测试方面仍然落后于西方发达国家。我过也在积极的开展研究静电放电测试方面的相关标准,成立了各项标准委员会。重庆SD卡ESD保护元件封装ESD静电保护元件有高分子材料制程的间隙放电元件,结电容可以做到0.1pF以内。

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷,是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上,液体静电电压可以达到数万伏以上,人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中,静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点,设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件,特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计,提供数据和依据。

常见人体带电过程如下:(1)人从椅子上站起来,或擦拭墙壁等过程(**初的电荷分离发生在衣物或其他相关物体外表面,然后,人体由感应带电。(2)人在高电阻率材料制成的地毯等绝缘地板上走动(**初的电荷分离发生在鞋和地板之间,然后,对于导电性鞋,人体由电荷传递而带电;对于绝缘鞋,人体是因感应而带电)。(3)脱下外衣时的静电。这是发生在外层衣物与内层衣物之间的接触起电,人体则经过电荷传递或感应而带电。(4)液体或粉体从人拿着的容器内倒出(该液体或粉体把一种极性的电荷带走,将等量异性的电荷留在人体上。(5)与带电材料接触。如对高度带电粉体取样时的带电。当存在连续起电过程时,由于电荷泄漏和放电,使得人体比较高电位被限制在约50kV以下。ESD静电保护元件可提供多种封装形式。

防静电的四项基本原则是:原则一:等电位连接,与敏感器件接触的导体实现等电位连接,避免因导全带静电发生放电;原则二:静电源控制,绝缘材料的静电通过连接地和等电位连接无法消除,因此必须对敏感器件周边进行静电源控制;原则三:静电源包装,出ESD防护区的器件必须使用防静电包装,以防外界静电源的影响;原则四,ESD防护措施不能降低安全水准,如安全与之***,安全第一。静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦、剥离等。静电防护技术,如电子工业、半导体、石油工业、兵器工业、纺织工业、橡胶工业以及兴航与***领域的静电危害,寻求减少静电造成的损失。静电保护元件可提供多种封装形式。重庆SD卡ESD保护元件封装

ESD防护电路主要采用“过压防护”的原理,通过隔离、箝位(限幅)、衰减、滤波等降低ESD冲击电压。重庆SD卡ESD保护元件封装

提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时,防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题,此时可以采用以下优化设计方法,提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压,使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联,导通电压提高n倍;两只二极管反向串联,导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后,高频信号通过二极管对电容充电,电容充电后对二极管提供偏压,提升二极管的正向导通电乐。重庆SD卡ESD保护元件封装

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