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浙江SMEJTVSDO-218AB 上海来明电子供应

上传时间:2023-07-13 浏览次数:
文章摘要:单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。,双向TVS的V-I特性,浙江SMEJTVSDO-218AB,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TV

单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。,双向TVS的V-I特性,浙江SMEJTVSDO-218AB,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:,0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,浙江SMEJTVSDO-218AB,浙江SMEJTVSDO-218AB,双向TVS在交流回路应用十分方便。。。。。TVS可以通过串联的方式减小TVS的结电容。浙江SMEJTVSDO-218AB

来明电子成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验,整合了质量的供应链资源,产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商,制定供应商评估体系,在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核,持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证,拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线,保证产品高标准、高质量、批量化生产。浙江SMEJTVS生产SMAF或SMBF封装的TVS是扁平化的TVS封装类型,比较薄,节约PCB空间。

来明电子团队在电路保护领域深耕多年,从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品,瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W,另有可替代MOV用超级TVS产品,产品电流可达16kA。产品封装类型有SOD-123,SOD-123FL,SMA,SMAF,SMB,SMBF,DO-15,DO-41,DO-201、DO-218AB等。并可提供车规级TVS器件,特殊需求可根据客户要求定制。我们严格筛选生产供应商,制定供应商评估体系,在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核,持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证,拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线,保证产品高标准、高质量、批量化生产。

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。200W功率的TVS产品一般采用SOD-123或SOD-123FL封装。

高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量**增加[5],表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使pn结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中,在承受相同功率时,高击穿电压TVS芯片温升更高。TVS硬击穿可表现为晶体管图示仪上伏安曲线直接呈现一条直线。湖南车规TVSSMBF

TVS可以通过并联的方式增大功率。浙江SMEJTVSDO-218AB

TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工艺过程中造成芯片台面损伤的原因主要有两个:1)芯片在酸蚀成型时,由于氢氟酸、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈。2、烧焊过后进行碱腐蚀清洗时,腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。台面缺陷或损伤的TVS 器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后,进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常,从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS 器件在筛选后电参数测试时不易被发现,可能被列为良品出厂。这些TVS 器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后,台面缺陷加剧,在缺陷处形成载流子产生-复合中心,使表面反向漏电流**增加。大的表面反向漏电流使pn 结边缘温度升高,产生热电综合效应,**终导致pn结边缘半导体材料温度过高烧毁。浙江SMEJTVSDO-218AB

上海来明电子有限公司致力于电子元器件,是一家贸易型公司。来明电子致力于为客户提供良好的TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容,一切以用户需求为中心,深受广大客户的欢迎。公司秉持诚信为本的经营理念,在电子元器件深耕多年,以技术为先导,以自主产品为重点,发挥人才优势,打造电子元器件良好品牌。在社会各界的鼎力支持下,持续创新,不断铸造高质量服务体验,为客户成功提供坚实有力的支持。

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