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单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。，双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：，0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。。，福建低电容TVSSMAF。。，福建低电容TVSSMAF。当超过TVS的承受能力的能量通过TVS，福建低电容TVSSMAF，TVS的芯片哟可能发热二击穿，从而呈现出短路的失效模式。福建低电容TVSSMAF

220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器，此高压直流变化范围是240V～360V，而由于变压器漏感和引线电感的存在，关断过电压可以高达几千伏，功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS，这样将关断过电压控制在300V以内，加上电源电压，功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时，由于开关变压器线圈漏感的存在，会产生极高的反电势，有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后，可以有效地吸收电压尖峰，保护功率开关管的安全，降低对功率开关管耐压的要求。江西1.0SMBTVSSOD-123RS485接口一般采用SMAJ6.0CA进行浪涌保护。

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在、无时不有，使人感到防不胜防。幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制，TVS（Transient Voltage Suppressor） 或称瞬态抑制二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异。TVS被广泛应用于各类电子电路中，包括计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。TVS是一种钳位型的过压保护器件。

TVS长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验，发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效，失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后，在扫描电镜下观察芯片，发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化，且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化，使管芯与底座热沉逐渐分离，结边缘的散热能力降低，长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。双向TVS具有双向对称的伏安特性曲线，可用于交变电路浪涌保护。江西1.0SMBTVSSOD-123

来明电子可提供批量TVS产品，具有较高的性价比。福建低电容TVSSMAF

引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良，在烧结界面出现大面积空洞，空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良，造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时，电流在烧结点附近汇聚，管芯散热困难，造成热电应力集中，产生局部热点，严重时引起热奔，使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析，可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时，可加速焊料热疲劳，使焊料层会产生疲劳龟裂，引起器件热阻增大，**终导致器件。过热烧毁。福建低电容TVSSMAF

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