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实际产品中，**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us，如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢，这就需要看Spec中的另一个曲线图：通过上图可以查出，1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us，对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下，反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口，在共模时，浪涌发生器内阻为12欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口，在差模时，浪涌发生器内阻为2欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口，无论差模共模，浪涌发生器内阻为42欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出，一个TVS所能承受的比较大浪涌电压，不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等)，也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。江苏定制TVS定制双向TVS具有双向对称的伏安特性曲线，可用于交变电路浪涌保护。

瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、交换机，工控设备，汽车电子、接触器噪音的抑制等各个领域。

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。TVS的瞬态功率一般是在10/1000μs的波形下测量。

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。。。。单向电路中可选用单向TVS进行过压保护。北京1.0SMBTVS现货

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TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。而后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。福建SMEJTVSDO-218AB

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