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静电的发生机制。由于不同原子的原子核对电子的束缚能力不同，物体相互靠近时，电子就会在物体之间发生转移，从而导致电荷在物质系统之间的不均匀分布，打破原本的平衡状态。所谓静电，其实就是这些发生转移、在某一物体上积累下来的电荷，而由这些电荷引发的诸多现象，如头发炸毛、电脑屏幕粘上灰尘等，就是静电现象。当我们活动时，身体、衣物会和地面、空气等产生摩擦，使电子在它们之间发生转移，从而使身体带电。我们的鞋子大多是绝缘的橡胶底，江苏SIM卡ESD保护元件原理，身体累积的电荷不可能通过鞋导给大地，于是身体的电荷逐渐累积，也就产生了静电。静电现象在冬天比在夏天更为常见，这与不同湿度下空气的导电能力有关。相对湿润时，空气中漂浮着大量微小液滴，可以转移身体的一部分电荷，而冬天气候干燥，江苏SIM卡ESD保护元件原理，江苏SIM卡ESD保护元件原理，室内外温差更**的温差会降低空气相对湿度，因此摩擦带来的电荷很容易积累起来。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。江苏SIM卡ESD保护元件原理

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。江苏SIM卡ESD保护元件原理静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响。

人体静电防护编辑 播报人体是**普遍存在的静电危害源。对于静电来说，人体是导体，所以可以对人体采取接地的措施。(1).使用防静电地面/ 防静电鞋/ 袜(静电从脚导到大地)通过脚穿防静电性地面、地垫、地毯，人员穿上防静电鞋袜，形成组合接地。(2).佩戴防静电腕带并接地(静电从手导到大地)通过手用以泄放人体的静电。它由防静电松紧带、活动按扣、弹簧软线.保护电阻及插头或夹头组成。松紧带的内层用防静电纱线编织，外层用普通纱线编织。

静电ESD保护元件选型注意事项：1.传输速率，也就是电容量的控制，现在随着工艺的不断完善，电容量越做越低。2.符合测试要求的标准，不是越高越好，而是适合自已的产品，例如：空气放电15KV 接触 8KV3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑，yint公司首席技术经理，说过一句很经典的话，在电路中，假如非万不得已不要增加多余的器件，每增加一个，就是增加失效风险，保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件，它也有失效益机率，所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。

提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时，防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题，此时可以采用以下优化设计方法，提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压，使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联，导通电压提高n倍;两只二极管反向串联，导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后，高频信号通过二极管对电容充电，电容充电后对二极管提供偏压，提升二极管的正向导通电乐。常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。湖北低压ESD保护元件封装

在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。江苏SIM卡ESD保护元件原理

人体放电模型（HBM）法规：十九世纪时，人们曾用这种模型来调查矿坑中的气体混合物事件。美国***标准MIL-STD-883的第3015.8号方法建立了一个简化的等效电路，以及模拟人体模型需要的测试程序。另一个国际广为使用的法规是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：静电放电敏感度测试。人体模型主要用在工厂生产环境中，另一个类似的法规IEC61000-4-2，是系统级的静电测试法规，则是在在系统层级的测试。我国静电放电对应的国标相对应的标准为GB/T17626.2。江苏SIM卡ESD保护元件原理

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