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陕西低电容ESD保护元件电容 上海来明电子供应

上传时间:2023-07-25 浏览次数:
文章摘要:SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时,Nwell/Pwell结发生雪崩击穿,击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw,使PNP器件和NPN器件开启,阳极

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时,Nwell/Pwell结发生雪崩击穿,击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw,使PNP器件和NPN器件开启,阳极的P+注入大量空穴,阴极的N+注入大量电子,注入的空穴成为NPN器件的基极电流,注入的电子成为PNP器件的基极电流,正反馈过程得以形成,使Nwell和Pwell均出现强烈的电导调制效应,继而降低器件两端的压降,陕西低电容ESD保护元件电容。因此,SCR器件的维持电压往往很低,并由此导致其抗ESD能力非常强,微分电阻也非常小。在阳极出现NegativeESDPulse时,电流可通过正偏的阴极P+/阳极N+释放,陕西低电容ESD保护元件电容,陕西低电容ESD保护元件电容。防静电的四项基本原则一:等电位连接,与敏感器件接触的导体实现等电位连接,避免因导全带静电发生放电。陕西低电容ESD保护元件电容

常见的ESD静电放电模式有四种,分别是人体放电模型、机器放电模型、带电器件模型、感应放电模型:1.HBM,人体放电模型,即带电人体对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:人体——器件——地。2.MM,机器模型,即带电设备对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:机器——器件——地。3.CDM,带电器件模型,即带电器件直接对敌放电。放电途径为:器件——地。4.FICDM,感应放电模型,即器件感应带电后放电。途经:电场——器件带电——地。陕西低电容ESD保护元件电容为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式。

人体放电模型(HBM)法规:十九世纪时,人们曾用这种模型来调查矿坑中的气体混合物事件。美国***标准MIL-STD-883的第3015.8号方法建立了一个简化的等效电路,以及模拟人体模型需要的测试程序。另一个国际广为使用的法规是ANSI/ESDA-JEDECJS-001:静电放电敏感度测试。人体模型主要用在工厂生产环境中,另一个类似的法规IEC61000-4-2,是系统级的静电测试法规,则是在在系统层级的测试。我国静电放电对应的国标相对应的标准为GB/T17626.2。

ESD是一种常见的近场危害源,可形成高电压,强电场,瞬时大电流,并伴有强电磁辐射,形成静电放电电磁脉冲。·电流>1A,·上升时间~15ns,衰减时间~150ns。ESD静电放电的特点:静电起电的**常见原因是两种材料的接触和分离。**经常发生的静电起电现象是固体间的摩擦起电现象。此外还有剥离起电、破裂起电、电解起电、压电起电、热电起电、感应起电、吸附起电和喷电起电等。物体的静电起电—放电一般具有高电位、强电场和宽带电磁干扰等特点。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量,使信号的时延、频响、电平等发生变化。

防护管一般和被保护电路并联。防护管的串联寄生电感会阻止ESD脉冲泻放到地,降低ESD防护能力。防护管的结电容产生的容抗和被保护电路I/0端口的特征阻抗并联,当防护管的结电容较大时,在高频下的容抗较小,会严重改变接口的的阻抗特性和频谱特性。防护器件的结电容是影响信号质量的主要因素,在高频接口要求防护器件的结电容要尽量小。现在各种电浪涌防护管的结电容要做到很小(小于2pF)还有较大难度,因此现有的防护器件直接用于GHz和Gbps以上的高频接口的ESD防护将对信号质量产生不可容忍的影响。防护器件要具有双极性(双向)防护功能,其响应时间小于ns级时,对ESD脉冲才具有较好的防护效果,响应速度越快其防护效果越好。防护管的箱位电压(或导通电压)低于高频信号峰值电平时也会对高频信号产生限幅效应,箝位电压过高则ESD防护效果差,这增加了较高峰值能量的高频接口的ESD防护电路设计的难度。硅基ESD保护器件的结电容与其芯片面积成正比关系。陕西低电容ESD保护元件电容

ESD静电保护元件一般并联在电流中使用。陕西低电容ESD保护元件电容

MOV具有ns级的快速响应,但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容,但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快,可达ps级,其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快,可达ps级,其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同,其结电容可达到1pF以下。可见,MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护,当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。陕西低电容ESD保护元件电容

上海来明电子有限公司是一家一般项目: 电子产品、电子元器件、电动工具、机电设备、仪器仪表、通讯器材(除卫星电视广播地面接收设施)、音响设备及器材、金属材料、日用百货的销售,电子元器件的制造。加工(以上限分支机构经营)。(除依法须经批准的项目外。凭营业执照依法自主开展经营活动) 许可项目: 货物进出口;技术进出口:进出口代理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)的公司,是一家集研发、设计、生产和销售为一体的专业化公司。来明电子作为电子元器件的企业之一,为客户提供良好的TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容。来明电子始终以本分踏实的精神和必胜的信念,影响并带动团队取得成功。来明电子始终关注电子元器件行业。满足市场需求,提高产品价值,是我们前行的力量。

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