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    可控硅模块是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅模块，它是1种大功率开关型半导体元器件，在线路中用字母符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。可控硅模块具备硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下运行，且其运行过程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子线路中。可控硅模块有很多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类可控硅模块按其关断、导通及控制方式可分成普通可控硅模块、双向可控硅、逆导可控硅模块、门极关断可控硅模块（GTO）、BTG可控硅模块、温控可控硅模块和光控可控硅模块等很多种。（二）按引脚和极性分类可控硅模块按其引脚和极性可分成二极可控硅模块、三极可控硅模块和四极可控硅模块。（三）按封装形式分类可控硅模块按其封装形式可分成金属封装可控硅模块、塑封可控硅模块和陶瓷封装可控硅模块3种类型。当中，金属封装可控硅模块又分成螺栓形、平板形、圆壳形等很多种；塑封可控硅模块又分成带散热片型和不带散热片型2种。（四）按电流容量分类可控硅模块按电流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模块和小功率可控硅模块3种。通常，大功率可控硅多选用金属壳封装。

晶闸管)回到导通状态。为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰。