浙江超大功率瞬态抑制二极管失效 上海来明电子供应

TVS台面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS制造工艺过程中造成芯片台面损伤的原因主要有两个:1)芯片在酸蚀成型时，由于氢氟酸，浙江超大功率瞬态抑制二极管失效、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈。2、烧焊过后进行碱腐蚀清洗时，腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。台面缺陷或损伤的TVS器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后，进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常，浙江超大功率瞬态抑制二极管失效，从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS器件在筛选后电参数测试时不易被发现，可能被列为良品出厂。这些TVS器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后，台面缺陷加剧，在缺陷处形成载流子产生-复合中心，使表面反向漏电流**增加。大的表面反向漏电流使pn结边缘温度升高，浙江超大功率瞬态抑制二极管失效，产生热电综合效应，**终导致pn结边缘半导体材料温度过高烧毁。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。浙江超大功率瞬态抑制二极管失效

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参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。

箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。

TVS被广泛应用于各类电子电路中，包括计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（比较高达1/(10^12)秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。浙江超大功率瞬态抑制二极管失效

瞬态电压抑制器TVS可以在－55~+150℃之间工作。浙江超大功率瞬态抑制二极管失效

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。浙江超大功率瞬态抑制二极管失效

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