福建压敏电阻MOV伏安特性 上海来明电子供应

压敏电阻应用：压敏电阻的Zv与电路总阻抗（包括浪涌源阻抗Zs）构成分压器，因此压敏电阻的限制电压为V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧，甚至小于1Ω。由此可见Zv在瞬间流过很大的电流，过电压大部分降落在Zs上，而用电器的输入电压比较稳定，因而能起到的保护作用。图(3)所示特性曲线可以说明其保护原理。直线段是总阻抗Zs，曲线是压敏电阻的特性曲线，两者相交于点Q，即保护工作点，对应的限制电压为V，它是使用了压敏电阻后加在用电器上的工作电压。Vs为浪涌电压，它已超过了用电器的耐压值VL，加上压敏电阻后，用电器的工作电压V小于耐压值VL，从而有效地保护了用电器。不同的线路阻抗具有不同的保护特性，从保护效果来看，Zs越大，其保护效果就越好，若Zs=0，即电路阻抗为零，压敏电阻就不起保护作用了，福建压敏电阻MOV伏安特性，福建压敏电阻MOV伏安特性。图(4)所描述的曲线可以说明Zs与保护特性之间的关系，福建压敏电阻MOV伏安特性。区分是电源保护用压敏电阻器，还是信号线、数据线保护用压敏电阻器，它们要满足不同的技术标准的要求。福建压敏电阻MOV伏安特性

压敏电阻(6)电压比：电压比是指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。(7)额定功率在规定的环境温度下所能消耗的最大功率。(8)比较大峰值电流(SURGECURRENT(8/20μs))一次以8/20μs标准波形的电流作一次冲击的最大电流值，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。2次以8/20μs标准波形的电流作两次冲击的最大电流值，两次冲击时间间隔为5分钟，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。(9)残压比流过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则为残压与标称电压之比。福建压敏电阻MOV伏安特性压敏电阻可通过串联的方式来提供工作电压。

压敏电阻瞬态过电压损伤是指强瞬态过电压使电阻器穿孔，导致更大电流和高热火灾。整个过程在短时间内完成，因此设置在电阻器上的热熔触点没有时间熔断。在三相电源保护中，N-PE线路之间的变阻器烧毁着火的事故概率较高，且大多属于这种情况。相应的对策是在压敏电阻损坏后不起火。在一些压敏电阻的应用技术数据中，建议将电流保险丝（fuse）与压敏电阻串联保护。为避免压敏电阻失效起火，在选择时应对压敏电压和通流量留有足够的余量。

压敏电阻材质：**常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻（MOV, Metal Oxide Varistor），它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块，夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应，由于有大量杂乱颗粒，使得它等同于一大堆背向相连的二极管，低电压时只有很小的逆向漏电电流，当遇到高电压时，二极管因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃，流通大电流。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。由于主要成份或品牌的不同，金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR (Composite Nonlinear Resistor[2])，TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是 Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。常用的压敏电阻型号有471KD10或10D471K。

ZnO压敏电阻的电性能ZnO压敏电阻**重要的是其非线性的I-V特性，如图所示2.3，从功能上看，在电压值达到称为击穿电压或阀值电压的数值以前，压敏电阻接近于绝缘体;而在电压值超过这个数值以后就成为导体。使ZnO压敏电阻设计人员感兴趣的电性能是:在导电状态的非线性或者叫非欧姆性，以及稳态工作电压下的漏电流很小，观看一下曲线上三个重点的区段，对ZnO压敏电阻的这些特点就可以更明显了。曲线可以划分为三个阶段:预击穿区、非线性区、上升区。7d（7mm）压敏电阻的通流量一般为1.2kA，高焦耳产品通流量一般为1.75kA。福建压敏电阻MOV伏安特性

**（20mm）压敏电阻的通流量一般为6.5kA，高焦耳产品通流量一般为10kA。福建压敏电阻MOV伏安特性

在压敏电阻各种不同的应用中，要用到I-V特性曲线的所有区段，小电流线性区决定了功耗，即决定外加稳态电压时的工作电压。非线性区决定着施加瞬态浪涌时的限制电压。高电流区的特性**了保护大电流冲击比如雷电的极限情况。因此对于高电流运用情况，我们希望元件的上升出现在尽可能高的电流密度区段，这样会使元件电压上升**小。以下将介绍压敏电阻器的主要应用参数及其功能。研究表明在室温下ZnO晶粒的电阻率为()x10m，晶界区的电阻率约为(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同测定晶界电阻率的测试技术的情况下，所得到的晶界电阻率基本上是很接近的。因此决定压敏电压高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是获得所要求的元件的电压的构成单元。也就是说，这是压敏电压的体积效应。为提高压敏电压，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者减少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。对于一个固定的配方，晶粒大小的主要影响因素有:烧结温度、保温时间、原料的颗粒度。此外还可以在配方中引入一些新的添加剂，在烧结过程中抑制晶粒的长大或者改变晶界电阻率来提高元件的电压梯度。福建压敏电阻MOV伏安特性

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