青海低电容ESD保护元件封装 上海来明电子供应

ESD策略，ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地，使传送到被保护器件的ESD脉冲能量比较低，同时要求防护电路对正常工作信号的损耗和失真**小。因此设计ESD防护电路的基本指导思想是:对ESD信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量小，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量大;对工作信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量大，青海低电容ESD保护元件封装，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量小。**的电浪涌防护器件主要有压敏电阻MOV气体放电管GDT 瞬态电压抑制二极管TVS半导体闸流管瞬态抑制器件TSS，青海低电容ESD保护元件封装、快速开关二极管等，青海低电容ESD保护元件封装。MM机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。青海低电容ESD保护元件封装

ESD防护电路主要采用“过压防护”的原理，通过隔离电路、箝位(限幅)电路、衰减电路、滤波电路等降低ESD冲击电压、限制脉冲电流的大小，使其降低到被保护器件可以承受的程度。ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小，在高频电路中进行ESD防护设计的难度增火。ESD脉冲具有持续时间短(ns~数百ns级)，能量较低(微焦耳级)的特征，频谱分布在数百KHz到数GHz的范围，其能量主要集中在数MHz到数百MHz的范围内，由于ESD的高频、快速放电特性，其防护电路要求比一般的电浪涌防护电路具有更快的响应速度和良好的高频性能。天津BNC接口ESD保护元件原理静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地，另一条通过内部PCB流向大地。

MOV具有ns级的快速响应，但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容，但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快，可达ps级，其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快，可达ps级，其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同，其结电容可达到1pF以下。可见，MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护，当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。

开车外出也要注意静电的防护，在加油站时，一定要防范静电，加油前先放电，一般情况下，自助加油机本身就能够释放静电。自助加油机上的键盘，它的材质是金属并且是直接与地相接触的，车主在加油前输入自己的加油信息时就已将身上所携带的静电释放出去了。当然，比较好能够在加油前，先把手按压在自助加油机的释放静电按钮上放电，这样会更加安全。正确使用加油枪，加油前，比较好将加油枪在油箱口轻碰一下以消除静电。在加油时将油***尽量深入油箱口，这样可以减少汽油蒸汽的挥发，相当于从源头上减少了起火介质。如果油箱口冒火，千万不要惊慌，应马上停止加油作业，然后将加油枪口远离油源，迅速用灭火器将火扑灭。硅基ESD保护器件的结电容与其工作电压成反比关系。

ESD静电放电机器模型,机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容是200pF，等效电阻为0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。静电放电充电器件模型,半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的。在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力。青海低电容ESD保护元件封装

单位面积的ESD防护能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向击穿）。青海低电容ESD保护元件封装

现行的 IEC61000—4—2标准规定 的测试方法和实验平 台仍存在一定局限性，需进一步研究 和改进 。ESD协 会 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等标准化 国际组织都在努力提高静电放 电抗扰度测试 的一致性，对现有标准展 开***的讨论和完善 。但是我国相关领域 的工作开展不多。现行的 ESD抗扰度实验标准是沿用原 IEC标准，对标准的制定和修改工作没有与国际接轨 ，从而在 ESD抗扰度测试方面仍然落后于西方发达国家。我过也在积极的开展研究静电放电测试方面的相关标准，成立了各项标准委员会。青海低电容ESD保护元件封装

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