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上海5KATVS孤光电压 上海来明电子供应

上传时间:2023-08-27 浏览次数:
文章摘要:齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",上海5KATVS孤光电压,从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离,上海5KATVS孤光电压。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V,上海5KATVS孤光电压。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA进行浪涌保护。上海5KATVS孤光电压

TVS管在稳压管工艺基础上发展起来的新产品,是一种新型的高效电路保护器件之一,具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力;而稳压二极管,利用pn结反向击穿状态,在电流变化范围内,保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。共同点:在一定范围内,能限制两端的电压;长时间运作耐流值几乎一样,均跟体积功耗相关联。工作原理不同:tvs管:雪崩效应,在高能量的瞬时过压脉冲时,阻抗能立马降低到很低的导通值,允许较大电流通过,并将电压箝制到预定水平,避免电路中的精密元器件免受损坏。 稳压管:齐纳隧道效应,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定。江西B32TVS测试200W功率的TVS产品一般采用SOD-123或SOD-123FL封装。

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。

TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。1500W功率的TVS贴片一般采用SMC封装,插件一般采用DO-201封装。

在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间*为1ps(10^-12S)。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。TVS是一种较常用的过压保护器件。江苏5KATVS选型

TVS的短路击穿分为软击穿和硬击穿,硬击穿一般是漏电流增大。上海5KATVS孤光电压

干扰脉冲过去后,TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时,其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压,因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化,钳位电压低,因此在瞬变电压防护领域有着非常***的应用。上海5KATVS孤光电压

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