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车规级TVS与工业级TVS的区别如下：1.级别不同：元器件一般分为**，工业级，民用级这三个级别，市面流通基本都是工业级民用级，车规级很少用于区分级别的，大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同：一般而言，工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃，车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同：车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力（包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等），湖南5KATVS绝缘电阻，车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上，而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产，湖南5KATVS绝缘电阻、管控以及测试环节。SMAF或SMBF封装的TVS是扁平化的TVS封装类型，湖南5KATVS绝缘电阻，比较薄，节约PCB空间。湖南5KATVS绝缘电阻

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根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。TVS是一种钳位型的过压保护器件。

平时在做浪涌测试时，总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压，如差模2KV，共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时，也就经常考虑这个问题，TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。在TVS选型时，有很多参数需要考虑，如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。这里不讨论其他参数，只关注如何计算出所能承受的浪涌电压。下图中提到了的两个参数：比较大钳位电压和脉冲峰值电流，其承受的比较大浪涌功率为比较大钳位电压*脉冲峰值电流=24.4V*24.6A=600.24W。这也是我们常说的SMB系列TVS能承受600W功率。如果没有特殊说明，这个功率是在10/1000us浪涌测试波形下测量的。TVS array是将小功率TVS与二极管通过电路设计包封在特定封装内具有特定功能的器件.浙江TVS符号

TVS与MOV比，具有较低的钳位电压。湖南5KATVS绝缘电阻

单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。，双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：，0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。。。。。湖南5KATVS绝缘电阻

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