服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
19
2026-10
星期 一
-
广州磁控溅射分类 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射加工是将氮化硅材料通过磁控溅射方法沉积在目标基底上的工艺过程。该加工方式依赖入射粒子与靶材的碰撞，激发靶材原子脱离并沉积形成薄膜，过程中的溅射粒子能量和方向性对薄膜质量有直接影响。氮化硅薄膜因其化学惰性和机械强度，在
-
19
2026-10
星期 一
-
广州磁控溅射实验室 广东省科学院半导体研究所供应
磁控溅射沉积的薄膜具有优异的机械性能和化学稳定性。首先，磁控溅射沉积的薄膜具有高密度、致密性好的特点，因此具有较高的硬度和强度，能够承受较大的机械应力和磨损。其次，磁控溅射沉积的薄膜具有较高的附着力和耐腐蚀性能，能够在恶劣的环境下
-
19
2026-10
星期 一
-
广州化合物半导体器件加工 广东省科学院半导体研究所供应
超透镜半导体器件的加工价格受多种因素影响，包括设计复杂度、加工工艺难度、材料选择及批量规模等。超透镜制造涉及高精度光刻、刻蚀和薄膜沉积等多道工序，每一步骤均需高水平的技术支持和设备保障，这些都会对成本产生直接影响。设计中纳米结构的
-
19
2026-10
星期 一
-
广州射频磁控溅射特点 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）技术的国产化应用中取得突破。其开发的HiPIMS系统峰值功率密度达到10⁷W/m²，使金属靶材的离化率提升至70%以上，制备的（Cr,Al）N涂层硬度较传统直流磁控溅射提
-
19
2026-10
星期 一
-
广州射频磁控溅射 广东省科学院半导体研究所供应
磁控反应溅射集中了磁控溅射和反应溅射的优点，可以制备各种介质膜和金属膜，而且膜层结构和成分易控。此法引入了正交电磁场，使气体分子离化率从阴极溅射的0.3%~0.5%提高到5%~6%，溅射速率比阴极溅射提高10倍左右。由于目前被普遍
推荐资讯