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2026-01

星期

广州材料刻蚀加工平台 广东省科学院半导体研究所供应

高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作,这类光刻技术,像“写字”一样,通过控制聚焦电子束(光束)移动书写图案进行曝光,具有比较高的曝光精度,但这两种方法制作效率极低,尤其在大面积制作方面捉襟见肘,目前直写光刻技术适用于小

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2026-01

星期

广州光刻加工 广东省科学院半导体研究所供应

曝光显影后存留在光刻胶上的图形(被称为当前层(currentlayer)必须与晶圆衬底上已有的图形(被称为参考层(referencelayer))对准。这样才能保证器件各部分之间连接正确。对准误差太大是导致器件短路和断路的主要原因

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2026-01

星期 六

广州材料刻蚀加工平台 广东省科学院半导体研究所供应

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将被刻蚀固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,是因为所使用的腐蚀液可以非常精确地腐蚀特定薄膜。对于大多数刻蚀方案,选择性大于100:1。湿法腐蚀必须满足以下要求:1.不得腐蚀掩模层;2.选择性必须

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2026-01

星期 六

广州氮化镓材料刻蚀 广东省科学院半导体研究所供应

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料,达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。包括三个基本过程:刻蚀、冲洗和甩干。湿法蚀刻的微观反应过程,首先溶液里的反应物利用浓度差通过扩散作用达到被

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2026-01

星期 六

广州光刻技术 广东省科学院半导体研究所供应

双面对准光刻机采用底部对准(BSA)技术,能实现“双面对准,单面曝光”。该设备对准精度高,适用于大直径基片。在对准过程中,图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续模拟图像信号经图像采集卡模块的

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