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2025-12
星期 五
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IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是融合MOSFET与BJT优势的复合功率半导体器件，主要点结构由栅极、发射极、集电极及N型缓冲层、P型基区等组成，兼具MOSFET的电压驱动特性与BJT的大电流承载能力。其栅极与发射极间采用氧化层绝缘
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在电动汽车中，IPM不仅是功率器件，更是安全系统的***道防线：从电机急加速的短路保护，到高原低温的可靠启动，再到15年生命周期的稳定输出，其集成化设计解决了EV****的“安全”与“效率”矛盾。随着800V平台普及，IPM将从“
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IGBT与MOSFET、SiC器件在性能与应用场景上的差异，决定了它们在功率电子领域的不同定位。MOSFET作为电压控制型器件，开关速度快（通常纳秒级），但在中高压大电流场景下导通损耗高，更适合低压高频领域（如手机快充、PC电源）
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IPM（智能功率模块）的电磁兼容性确实会受到外部干扰的影响。以下是对这一观点的详细解释：外部干扰对IPM电磁兼容性的影响机制电磁干扰源：外部干扰源可能包括雷电、太阳噪声、无线电发射设备、工业设备、电力设备等。这些干扰源会产生电磁波
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IPM（智能功率模块）的可靠性确实会受到环境温度的影响。以下是对这一观点的详细解释：环境温度对IPM可靠性的影响机制热应力：环境温度的升高会增加IPM模块内部的热应力。由于IPM在工作过程中会产生大量的热量，如果环境温度较高，会加
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