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09
2025-12
星期 二
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MOSFET的栅极电荷Qg是驱动电路设计的关键参数，直接影响驱动功率与开关速度，需根据Qg选择合适的驱动芯片与外部元件。栅极电荷是指栅极从截止电压到导通电压所需的总电荷量，包括输入电容Ciss的充电电荷与米勒电容Cmiller的耦
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MOS的广泛应用离不开CMOS（互补金属-氧化物-半导体）技术的支撑，两者协同构成了现代数字集成电路的基础。CMOS技术的重心是将NMOS与PMOS成对组合，形成逻辑门电路（如与非门、或非门），利用两种器件的互补特性实现低功耗逻辑
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随着物联网（IoT）设备的快速发展，MOSFET正朝着很低功耗、微型化与高可靠性方向优化，以满足物联网设备“长续航、小体积、广环境适应”的需求。物联网设备（如智能传感器、无线网关）多采用电池供电，需MOSFET具备极低的静态功耗：
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2025-12
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受益于消费电子、新能源、工业自动化等领域的需求增长，全球MOS市场呈现稳步扩张态势。据行业数据统计，2023年全球MOS市场规模约180亿美元，预计2028年将突破300亿美元，复合增长率达10.5%，其中低压MOS（60V以下）
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MOSFET的栅极电荷Qg是驱动电路设计的关键参数，直接影响驱动功率与开关速度，需根据Qg选择合适的驱动芯片与外部元件。栅极电荷是指栅极从截止电压到导通电压所需的总电荷量，包括输入电容Ciss的充电电荷与米勒电容Cmiller的耦
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