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IGBT有四层结构,P-N-P-N,包括发射极、栅极、集电极。栅极通过绝缘层(二氧化硅)与沟道隔离,这是MOSFET的部分,控制输入阻抗高。然后内部有一个P型层,形成双极结构,这是BJT的部分,允许大电流工作原理,分三个状态:截止

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截至2023年,IGBT已完成六代技术变革,每代均围绕“降损耗、提速度、缩体积”三大目标突破。初代(1988年)为平面栅(PT)型,初次在MOSFET结构中引入漏极侧PN结,通过电导调制降低通态压降,奠定IGBT的基本工作框架;第

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1.杭州瑞阳微电子有限公司成立于2004年,自成立以来,始终专注于集成电路和半导体元器件领域。公司凭借着对市场的敏锐洞察力和不断创新的精神,在行业中稳步前行。2.2015年,公司积极与国内芯片企业开展横向合作,代理了众多**品牌产

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瑞阳方案:士兰微1200V车规级IGBT模块:导通压降1.7V(竞品2.1V),应用于某新势力SUV电机控制器,续航提升8%,量产成本下降1900元「IGBT+SiC二极管」组合:优化比亚迪海豹OBC充电机,充电效率从92%提升至

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IGBT在轨道交通领域的应用,是保障高铁、地铁等交通工具动力系统稳定运行的主要点。高铁牵引变流器需将电网的高压交流电(如27.5kV)转换为适合牵引电机的直流电与交流电,IGBT模块作为变流器的主要点开关器件,需承受高电压(450

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