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MOS的广泛应用离不开CMOS(互补金属-氧化物-半导体)技术的支撑,两者协同构成了现代数字集成电路的基础。CMOS技术的重心是将NMOS与PMOS成对组合,形成逻辑门电路(如与非门、或非门),利用两种器件的互补特性实现低功耗逻辑

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MOSFET的栅极电荷Qg是驱动电路设计的关键参数,直接影响驱动功率与开关速度,需根据Qg选择合适的驱动芯片与外部元件。栅极电荷是指栅极从截止电压到导通电压所需的总电荷量,包括输入电容Ciss的充电电荷与米勒电容Cmiller的耦

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随着电子设备向“高频、高效、小型化、高可靠性”发展,MOSFET技术正朝着材料创新、结构优化与集成化三大方向突破。材料方面,传统硅基MOSFET的性能已接近物理极限,宽禁带半导体材料(如碳化硅SiC、氮化镓GaN)成为主流方向:S

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