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星期 五

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MOS的应用可靠性需通过器件选型、电路设计与防护措施多维度保障,避免因设计不当导致器件损坏或性能失效。首先是静电防护(ESD),MOS栅极绝缘层极薄(只几纳米),静电电压超过几十伏即可击穿,因此在电路设计中需增加ESD防护二极管、

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MOSFET在消费电子中的电源管理电路(PMIC)中扮演主要点角色,通过精细的电压控制与低功耗特性,满足手机、笔记本电脑等设备的续航与性能需求。在手机的快充电路中,MOSFET作为同步整流管,替代传统的二极管整流,可将整流效率从8

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MOSFET的并联应用是解决大电流需求的常用方案,通过多器件并联可降低总导通电阻,提升电流承载能力,但需解决电流均衡问题,避免出现单个器件过载失效。并联MOSFET需满足参数一致性要求:首先是阈值电压Vth的一致性,Vth差异过大

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MOSFET的可靠性受电路设计、工作环境及器件特性共同影响,常见失效风险需针对性防护。首先是栅极氧化层击穿:因氧化层极薄(只几纳米),若Vgs超过额定值(如静电放电、驱动电压异常),易导致不可逆击穿。防护措施包括:栅源之间并联TV

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MOS的性能优劣由一系列关键参数量化,这些参数直接决定其场景适配能力。导通电阻(Rdson)是重心参数之一,指器件导通时源极与漏极之间的电阻,通常低至毫欧级,Rdson越小,导通损耗越低,越适合大电流场景;开关速度由开通时间(tr

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